Micro LED即LED微縮化和矩陣化技術(shù)，指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列。2016年受以蘋果為代表的可穿戴及索尼為代表的超大尺寸電視開發(fā)對Micro LED技術(shù)關(guān)注影響，集低功耗、高亮度、超高分辨率與色彩飽和度、反應(yīng)速度快、超省電、壽命長、效率較高等諸優(yōu)點于一身的Micro LED新技術(shù)顯示屏在2016年持續(xù)發(fā)酵，成為LED顯示技術(shù)領(lǐng)域可與OLED顯示技術(shù)叫板的新技術(shù)。Micro LED新技術(shù)的應(yīng)用于小間距l(xiāng)ed顯示屏，大有對傳統(tǒng)小間距l(xiāng)ed顯示屏技術(shù)形成沖擊之勢，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

　　Micro LED 應(yīng)用于小間距顯示屏產(chǎn)品優(yōu)勢明顯。隨著點間距微縮，傳統(tǒng) LED 封裝成本占整體顯示屏模塊比重將大幅上揚。Micro LED技術(shù)無須封裝支架與金屬打線，可降低傳統(tǒng)SMD LED 封裝成本。

　　另外，在波長均勻性方面，傳統(tǒng)小間距LED產(chǎn)品波長均一性較之Micro LED 產(chǎn)品波長均一性要苛嚴得多。目前量產(chǎn)標準下的藍光LED波長均一性要求在±5~12nm，然而小間距顯示屏波長均一性要求在±1-1.5nm。大批量、高精度轉(zhuǎn)移制程提升制程產(chǎn)率，至少須達到99.9%。同時，PCB 也須達到客制化，以細線寬/線距與小鉆孔開發(fā)，超高密度線路承載巨量Micro LED像素，獲取高畫質(zhì)顯示效果。

　　目前，主要以臺系為主的led顯示屏企業(yè)在Micro LED市場布局動作較大,據(jù)相關(guān)媒體報道，明年起聚積將開始走向Micro LED市場。聚積總經(jīng)理陳企凱預(yù)期，Micro led顯示屏將是未來市場發(fā)展趨勢，預(yù)計最快2017～2018年就可以看到這款面板問世。而晶電、融達、友達、群創(chuàng)等也已積極投入Micro LED技術(shù)研發(fā)。

　　值得注意的是，LED廠商雖相繼啟動Micro LED開發(fā)計劃，但由于初期推動此項技術(shù)的廠商數(shù)量有限，難以形成強大的推動力和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化能力，另外由于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移等核心技術(shù)仍有待突破，以及存在未來柔性化顯示應(yīng)用趨勢上的硬傷，業(yè)界普遍認為Micro LED要進入商業(yè)化量產(chǎn)，可能還需要5～10年時間。市場前景及技術(shù)的不明朗給傳統(tǒng)小間距l(xiāng)ed顯示屏企業(yè)提出選擇，傳統(tǒng)小間距l(xiāng)ed顯示屏企業(yè)或固步自封、或迎難而上、或齊頭并進，無疑成為行業(yè)內(nèi)在發(fā)展超高密度小間距顯示屏應(yīng)該面對的新選題。